Sk Hynix开始生产128层4D Nand芯片

在3D NAND闪存技术领域，芯片制造商增加其芯片存储容量的最佳方法是在其NAND结构中添加其他层。 这就是4D NAND技术如此重要的原因。

SK海力士开始生产全球首个128层4D NAND芯片

SK Hynix宣布已开始使用其4D CTF （电荷陷阱闪存）NAND闪存技术批量生产全球首个1TB 128层4D NAND TLC芯片。

为什么将其视为4D？

SK Hynix 4D技术使用称为PUC闪存 （Periphery Under Cell）的结构。 第四维度是在SK Hynix 3D NAND结构之下发生了变化的结构。 是的，这实际上不是4D结构…

借助该公司新的1TB 128层芯片，SK Hynix可以提高每个晶片的生产率 ，比该公司现有的96层4D NAND增长40％。 此外，SK海力士（SK Hynix）认为，这种技术移植的成本将比以前的技术变更低60％，从而带来了令人惊讶的效率水平。

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SK Hynix计划在今年下半年交付其4D NAND芯片，其 在1.2 V时的数据传输速率有望达到1400 Mbps。 SK海力士还计划使用这种NAND和控制器芯片在内部创建2TB SSD。 16TB和32TB NVMe SSD也仅适用于企业市场。

该公司还打算在不久的将来生产176层芯片。

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