Sk Hynix开发了1znm 16GB（千兆位）DDR4存储器

SK海力士开发1Znm 16Gb DDR4内存（千兆位）

该公司声称， 新型1Znm存储模块的生产率比上一代1Ynm生产线提高了约27％ 。但是，制造过程不需要昂贵的极紫外锂（EUV），这使得1Znm的生产比以往任何时候都更有利可图。

SK hynix 1Znm内存支持高达3200Mbps的数据传输速率 ，这是DDR4接口最快的数据处理速度。新的1Znm存储模块提高了能效，因此与密度与以前的1YNnm 8Gb DRAM相同的模块相比， 成功地将功耗降低了约40％ 。

在制造过程中，已采用了上一代产品中未使用的新物质，从而使1Znm产品的电容最大化。电容是电容器可以存储的电荷量，这是DRAM操作中的关键要素。在过程中还引入了新设计，以提高操作稳定性。

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SK hynix计划将1Znm技术工艺扩展到一系列应用，包括下一代便携式LPDDR5 DRAM和HBM3 ，这将是未来最快的DRAM。

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