Sk hynix为其未来的dram授权使用革命性的“ dbi ultra”

SK Hynix已与Xperi Corp.签署了一项全面的新专利和技术许可协议。除其他事项外，该公司还许可了Invensas开发的DBI Ultra 2.5D / 3D互连技术 。 后者旨在允许构建多达16个Hi芯片组，包括下一代内存以及具有众多同质层的高度集成的SoC。

SK Hynix将使用新的DBI Ultra互连技术

Invensas DBI Ultra是一项专有的晶片-矩阵混合结互连技术 ，使用最小1微米的互连步骤， 每平方毫米可以实现100, 000至1, 000, 000互连 。 据该公司称，与传统的铜柱互连技术相比，数量更多的互连可以提供更高的带宽，传统的铜柱互连技术每平方毫米只能增加625个互连。 小型互连还提供了更短的z高度，从而可以在与常规8-Hi芯片相同的空间中构建16层堆叠芯片，从而可以实现更高的存储密度。

与其他下一代互连技术一样， DBI Ultra支持2.5D和3D集成。 此外，它允许集成不同尺寸和使用不同工艺技术生产的半导体器件。 这种灵活性不仅对下一代高带宽，大容量存储器解决方案 （包括3DS，HBM等） 特别有用 ，而且对高度集成的CPU，GPU，ASIC，FPGA和SoC也特别有用 。

DBI Ultra使用化学键，可以相互连接而不会增加分隔高度，也不需要铜基台或底部填充。 尽管与传统的堆叠工艺相比，用于DBI Ultra的工艺流程有所不同，但它继续使用已知质量良好的模具，并且不需要高温，从而获得了相对较高的成品率。

访问我们关于市场上最佳SSD驱动器的指南

SK Hynix并未透露其计划如何使用DBI Ultra技术，尽管可以合理地认为它将在未来几年内将其用于DRAM单元，这可以使它们比竞争对手更具优势。 我们会及时通知您。