Sk hynix已经开始使用128层3d nand测试其首批产品

SK海力士已经对首批128层3D NAND产品进行了测试

96层3D NAND存储器是在一年前发布的，但是低价格迫使它们削减了产量，其主要产品是那些第四代72层3D NAND 。

SK Hynix在6月宣布其128层3D NAND已从开发转向批量生产 ，现已整合到SSD和UFS模块中，这是主要客户的样品。

96层代代表了SK海力士的一项重大技术进步 ，它转向了单元结构下的致密外围设备，矩阵I / O速率大幅提升。这项技术对于SK Hynix来说足以作为其闪存“ 4D NAND”品牌的依据，但是自从第一代3D NAND以来，英特尔和美光一直在做几乎相同的事情。

他们说，SK海力士的128层产品有望将速度从1.2GT / s提高到1.4GT / s ，并以业界领先的1Tb（128GB）容量TLC阵列首次亮相。短期内，SK Hynix计划在利润率最高的市场领域中引入新一代3D NAND，而其更成熟的72层和96层工艺仍适用于对成本最敏感的产品。

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在客户SSD市场上，原始设备制造商现在对SK Hynix的下一代M.2 NVMe SSD进行了评估，其容量高达2TB，功耗大约为3W，而前者为6。上一代SSD的W，使用了96层。

SK Hynix预计这些固态硬盘将于2020年上半年开始出现在笔记本电脑上。

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