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Sk Hynix已经提供了其96层QLC 4D Nand闪存
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SK Hynix今天宣布已开始测试其96层4D NAND闪存芯片。 新样品包括1 TB（Tb）存储阵列，四级单元（QLC） ，这些单元将针对下一代，基于大容量QLC的SSD产品，客户希望购买这些产品来替换旧硬盘。 。
SK Hynix已将其96层QLC 4D NAND闪存交付给SSD控制器公司
去年， SK Hynix推出了其新的96层4D NAND闪存技术 ，旨在与其他存储技术提供商的类似96层3D NAND闪存技术竞争。 他们的目标是使对大多数消费者而言具有足够可靠性的QLC闪存技术（通常称为不如TLC或MLC可靠）的过渡更为平稳 。
QLC技术可以在单个闪存单元中存储4位，这意味着在具有相同单元数的新闪存驱动器中可以存储33％以上的位 。 通过引入96层闪存芯片，与以前的SK Hynix 72层产品相比，下一代闪存产品可以实现更高的密度。 这意味着在同一空间中有更大容量的单元。
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SK Hynix之所以称其为4D NAND技术，是因为它结合了3D电荷陷阱闪存 （CTF）和单元周边设备 （PUC）技术。 根据提供商的说法，与公司以前的72层NAND 3D产品相比，使用96层可以实现49％的改进位密度。
根据公告中引用的IDC数据， QLC在NAND闪存市场中的市场份额预计将从2019年的3％增长到2023年的22％ 。 预计企业SSD市场的复合年增长率（TCCA）为47.9％，这将导致五年内快速更换硬盘。
