东芝开发了每个单元首个4位nand qlc存储器

东芝已经拥有世界上第一个NAND QLC存储器

东芝的新型BiCS FLASH 3D存储器建立在QLC技术的基础上，成为世界上第一个能够在每个单元中总共存储4位的 3D存储器。这些新芯片的容量为768 GB，大大高于当前TLC存储器所能达到的512 GB。

我们建议读取具有TLC与MLC内存的SSD

东芝的新型QLC BiCS FLASH存储器采用64层设计，可实现每芯片768 GB的裸片容量，相当于96 GB，并允许使用容量不少于1.5 TB的设备。 单个封装中堆叠了16个芯片 。东芝由此成为闪存密度的领先公司。

东芝新型QLC存储器的首批样品将于今年6月开始发货，以便SSD制造商及其控制器能够尽快启动。首批样品还将在8月7日至10日于圣塔克拉拉举行的闪存峰会上展示。

我们将看到QLC存储器的到来是否伴随着SSD价格的大幅新下降，鉴于智能手机制造商对NAND存储器芯片的高需求，这种情况连续几个月没有停止上涨。

资料来源：techpowerup