东芝明年将推出XL记忆

这家日本跨国公司在上届 闪存峰会 上宣布了有关其新 XL-FLASH 存储解决方案的数据 ，今天我们对它们有了更多的了解。 我们仔细研究了 东芝的 战略和新技术，该战略和新技术进一步模糊了 NAND 和 DRAM存储器 之间的差异。

东芝 2020 年初的 XL-FLASH 存储解决方案

这些存储解决方案是 东芝 对三星 Z-NAND内存 和 英特尔 3D XPoint 的 直接回应 。 它们以 SLC 类型 （西班牙语中的“单级单元”） 脱颖而出，也就是说， 每个单元只能存储一位，因此它们会更小一些，但可靠性更高，并且延迟更低。

用这种结构制成的最小内存将为 128 GB ，并将分为16个平面。 这将大大提高并行工作的能力，特别是与其他基于 3D NAND 的存储器相比。 作为回报，每页的 大小 仅为 4 kB， 与直接竞争相比，这个数字很小。

另一方面，为了补偿该下降，已经揭示了读取等待时间将小于 5μs 。 如果我们以其 50µs 的 3D TLC 来看，这是一个很大的改进。

还要注意的一点是，这些模型将可用于任何 第三方公司 。 与 三星 独有的Z- SSD 存储器不同，我们将看到一些采用 东芝 技术的不同品牌名称的存储器。

一些公司已经谈论过它，并且对发布自己的模型非常感兴趣。 这可能会撼动内存市场，众所周知， 竞争通常对用户而言更好。

这些存储解决方案的组装将于下个月开始 ，正如我们在一开始所预测的那样，我们将在明年看到它们的推出。

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