东芝以其XL技术经受住Optane的挑战

东芝在闪存峰会上宣布，它正在开发3D XL-Flash技术 ，重点是创建可与新兴的Optane和3D XPoint存储器技术竞争的低延迟3D NAND存储器 。 东芝表示，这种新的低延迟NAND存储器方法可以将延迟值降低到目前消费者NAND TLC价格的1/10。

XL-Flash技术有望改善3D-NAND存储器延迟

带有XL-Flash的经过更新的NAND架构可能等同于三星对其Z-NAND技术所做的工作， 与Optane相比 ，这可以降低生产成本。 东芝将使用其BiCS闪存技术，但至少在最初的SLC实现中将部署XL-Flash，以提高性能（响应时间为7微秒，而QLC为30微秒）。 当然，这将降低存储密度，但请记住，我们的目标是以较低的价格提供与Optane相似的性能以及相同或更好的密度。

东芝为提高性能而采取的步骤包括缩短位线和字线，单元之间的内部连接或单元之间的较短路径，这意味着更低的延迟和更好的性能。 此外，通过添加更多闪存平面和可同时响应数据请求的独立区域，提高了并行性和性能。

XL-Flash有望用作高密度QLC驱动器中的高速缓存存储器 ，以及试图破坏Intel Optane存储器产品的独立产品。

东芝似乎对XL-Flash计划抱有雄心，并且它必须是世界上最大的内存制造商之一。

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