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东芝存储器公司宣布其96层Nand Bic QLC芯片
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全球领先的基于闪存技术的存储解决方案制造商东芝存储器公司 ( Toshiba Memory Corporation)宣布,其专有的3D闪存技术,具有4位QLC技术的96层BiCS QLC NAND芯片的原型样品已开发完成。单元,可以将单个芯片的容量显着提高到迄今为止达到的最高水平。
东芝的96层BiCS QLC NAND存储器可通过单个芯片实现1.33 TB的容量
东芝存储器公司已经确认,它将在9月初开始向SSD制造商提供这种96层NAND BiCS QLC存储器技术中的第一项技术 ,以期在2019年开始批量生产 。 这款新的96层NAND BiCS QLC芯片与Western Digital Corporation联合开发的单芯片可实现1.33 TB 的容量 。 在单个封装中使用这些芯片中的16个,将有可能构建容量为2.66 TB的SSD驱动器,这在该行业是一项真正的成就。
这样,东芝存储器公司就准备领导产品系列,专注于处理移动终端产生的海量数据以及SNS的扩展和物联网的发展 。 所有这些数据都必须实时使用,因此SSD存储比机械硬盘具有更大的速度优势,因此至关重要。 东芝存储公司将在8月6日至9日于加利福尼亚州圣克拉拉举行的2018年闪存峰会上展示基于这些96层NAND BiCS QLC芯片的封装。
东芝存储器将继续提高存储器容量和性能,并开发新技术以满足市场的多样化需求,包括迅速扩展的数据中心存储市场。
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