东芝已经开发了每单元5位（Flash）SSD技术

东芝已经开始为未来的BiCS Flash世代进行规划 。 从BiCS 5开始，每一代将与新一代PCIe标准相吻合， BiCS 5即将与PCIe 4.0一起发布，但该公司未提供具体时间表。 BiCS5将具有1200MT / s的更高带宽，而BiCS6将达到1600MT / s，而BiCS7有望达到2, 000MT / s。

东芝已经开发了每单元5位（Flash）SSD技术

该公司还开始研究Penta级单元（PLC）NAND闪存技术，并通过修改其当前的NAND QLC 验证了每单元五位NAND技术的性能 。 新的闪存具有更高的密度，每个单元可以存储5位数据，而不仅仅是当前QLC中的4位数据。 但是，为此，该单元必须能够存储32个不同的电压电平，并且SSD驱动器需要准确读取它们。 由于要读取和写入如此多的电压电平，因此新技术是一个巨大的挑战。 为了控制更严格的阈值，该公司必须开发一些其他流程，以使其适应当前的TLC和QLC以提高性能。

QLC已经相当慢，并且比其他类型的闪光灯具有更低的电阻。 PLC将具有更低的电阻和更慢的性能。 但是，新的NVMe协议功能（如分区命名空间 （ZNS））应有助于缓解某些问题。 ZNS本身旨在减少写放大，减少对介质过度配置和内部控制器DRAM的使用，当然还可以提高性能和延迟。

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该公司开发了一种新工艺，可以增加所有形式的下一代BiCS FLASH中矩阵的密度。 本质上，它将在保留正常3D闪存过程的同时将存储单元一分为二以使其扩展。 东芝目前不确定这种方法是否完全可行。

固态驱动器上的存储似乎在不断发展，具有更大，更快，更实惠的驱动器。

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