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台积电将于2021年开始制造``堆叠式''3D芯片
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台积电继续展望未来，确认该公司将在2021年开始批量生产下一代3D芯片 。 新芯片将使用来自公司的InFO和CoWoS技术的WoW （Wafer-on-Wafer）技术。
台积电将开始制造3D芯片
摩尔定律的放慢和先进制造工艺的复杂性，再加上当今不断增长的计算需求，使科技公司陷入了困境。 这迫使人们寻求仅减少纳米的新技术和替代方法。
现在，随着台积电准备使用其7nm +工艺设计生产处理器时，这家台湾工厂已经确认将在2021年改用3D芯片 。 这项更改将使您的客户可以在同一封装内将多个CPU或GPU“堆叠”在一起，从而使晶体管的数量增加一倍。 为此，TSMC将使用TSV（硅通孔）连接矩阵中的两个不同晶片。
台积电将使用TSV连接矩阵的两个不同晶片
堆叠管芯在存储世界中很普遍，台积电WoW会将这一概念应用于硅片。 台积电与加利福尼亚州的Cadence Design Systems合作开发了这项技术，该技术是3D芯片生产技术InFO（集成扇出）和CoWoS（晶片上晶片）的扩展。基材）。 该工厂于去年宣布了《魔兽世界》，现在已经确认该工艺可在2年内投入生产。
这项技术很可能会完全使用5nm工艺，这将使苹果等公司拥有多达100亿个晶体管的芯片，其面积类似于当前的A12。
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