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台积电将于2019年下半年开始生产5nm
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尽管英特尔的10nm问题继续存在,但台积电仍在朝着更小的节点发展 ,确认了其计划在2019年下半年开始``风险生产''5nm节点的计划。
台积电将于明年开始在5nm的新节点进行风险生产
此外, 台积电预计其新的7纳米节点在明年将占其总收入的20% ,这表明对领先工艺节点的巨大需求,台积电将领导制造7纳米节点,然后GlobalFoundries停止生产它们。
台积电计划开发一个7nm FinFET'Plus'节点,该节点在制造过程中采用EUV技术用于多层制造,而5nm FinFET进一步将该技术用于更关键的层,从而减少了对多种图形的需求。 EUV技术将在7nm大规模生产开始后的一段时间内出现。
他们估计与7nm相比面积减少了45%
与7nm相比,此更改还将使5nm可以提供大量的晶体管“缩放”,初步报告估计与7nm FinFET相比,面积减少了45%。重要。
从上下文上讲, 台积电的7nm FinFET节点已经比16nm FinFET节点减小了70%的面积 ,使5nm节点变得非常紧凑,尽管可以预期节省的成本也可以减少。 5nm提供的能量和性能提升小于7nm。
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