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台积电揭示晶圆上晶片堆叠技术
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台积电（TSMC ）利用该公司的技术研讨会宣布了其新的 晶圆上晶圆（WoW）技术 ，这是一种用于硅片的3D堆叠技术，它允许您使用硅通孔连接通过以下方式将芯片连接到两个硅片： TSV），类似于3D NAND技术。
台积电宣布其革命性的晶圆上晶圆技术
由于芯片之间的距离很小，该台积电的WoW技术可以直接连接两个矩阵，并且数据传输最少 ，这可以提供更好的性能和更紧凑的最终封装。 当晶圆仍在其原始晶圆内时， WoW技术会堆叠硅，这有其优点和缺点 。 这与我们今天看到的多管芯硅技术有很大不同，多管芯硅技术有多个管芯彼此相邻放置在中介层上，或者使用英特尔的EMIB技术。
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优点是，该技术可以同时连接两个裸片晶圆，从而在制造过程中提供的并行化要少得多，并有可能降低最终成本 。 当在第二层中将失效的硅与活性硅接合时会出现问题，这会降低整体性能 。 一个问题使该技术无法用于制造硅片，而硅片间晶圆的成品率不到90％。
当将产生热量的两片硅堆叠在一起时，会出现另一个潜在的问题，从而导致热量密度可能成为限制因素 。 这种热限制使WoW技术更适合于能耗低，因此热量少的硅。
直接的WOW连接性使芯片能够以极短的延迟进行异常快速的通信， 唯一的问题是 ， 在一天之内在高性能产品中是否可行 。
