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台积电已量产首批7nm芯片
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台积电希望继续领导硅芯片制造行业，因此其投资巨大，该代工厂已经开始使用其先进的7nm CLN7FF工艺大规模生产首批芯片，这将使其达到新的效率水平。和好处。
台积电开始采用DUV技术批量生产7nm CLN7FF芯片
2018年将是第一个以7纳米制程生产的芯片的到来之年 ，尽管不要指望高性能GPU或CPU，因为该工艺必须首先成熟，这对制造用于移动设备和芯片数据的处理器来说没有什么比这更好的了。内存 ，体积更小，更易于制造。
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台积电将其7nm的新工艺与目前的16nm的新工艺进行了比较 ，以确保在消耗相同数量的晶体管的情况下，新芯片的尺寸将缩小70％，此外还可以减少60％的能源消耗，并允许操作提高30％。 重大改进将使新设备具有更大的处理能力，并且能耗等于或低于当前设备。
台积电（TSMC）的7nm CLN7FF工艺技术基于深紫外（DUV）光刻技术 ，并使用波长为193nm的 氟化氩（ArF）准分子激光器 。 结果，该公司将能够使用现有的制造工具来制造7nm的芯片。 同时，要继续使用DUV光刻，该公司及其客户必须使用多重图案化（三重和四重图案），这会增加设计和生产成本以及产品周期。
明年，台积电打算针对选定的涂层引入其首个基于极紫外光刻（EUVL）的制造技术 。 由于设计规则的兼容性以及它将继续使用DUV工具，CLN7FF +将成为该公司的第二代7nm制造工艺。 台积电希望其CLN7FF +可以提供比CLN7FF更高的晶体管密度和20％的功耗 ，而其功耗和复杂度和频率却降低10％ 。 此外，台积电基于EUV的7nm技术还可以提供更高的性能和更紧凑的电流分配。
