英国iii-v记忆体，记忆体编号

英国兰开斯特大学的研究人员已经成功创建了一种非易失性闪存，其速度与DRAM一样快，但仅消耗了现代NAND或DRAM存储器所需能量的1％ 。写数据位。 该存储器称为UK III-V存储器 。

UK III-V存储器，非易失性存储器的速度比DRAM快100倍

对于采用20nm光刻工艺制造的门，所需的能量消耗约为-17焦耳功率的10倍。 UK III-V存储器晶体管将处于典型的关断状态，栅极电荷将花费约5ns的时间，而清空将花费3ns，这两个数字都非常可观。 一旦添加了控制器，这些数字可能会更高一些，但这值得对所获得的效率进行补偿。

开发仍处于简单的晶体管阶段 ，因此将其转换为完整的商业产品还有很长的路要走。 但是，构建高效，快速以与DRAM竞争的非易失性存储器是一项成就。

具有与DRAM一样快的非易失性存储器很有趣，因为它可用于构建PC，该PC可以在系统完全关闭电源时将当前存储在RAM中的数据保留在其中，因此可以在其离开后的瞬间立即恢复从完全关闭状态。 这将消除对睡眠状态的需求，并且还允许系统在空闲时关闭RAM，从而进一步降低功耗。

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想到的问题是UK III-V内存是否可以处理DRAM通常进行的重复重写。 如果磨损是一个问题，那可能会破坏使用非易失性RAM的计算机的任何梦想。

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