Western Digital开发闪存以与optane竞争

Western Digital正在开发自己的“低延迟”闪存，与传统的3D NAND相比，该闪存将提供更高的性能和耐用性，而该3D NAND最终旨在与Intel Optane竞争。

Western Digital采用LLF技术的新型存储器将与Z-NAND和Optane竞争

在本周的 “存储现场日”活动中 ，Western Digital讨论了他们目前正在开发的新型低延迟存储器。 该技术旨在适合3D NAND和常规DRAM之间的某个位置 ，类似于英特尔的Optane和三星的Z-NAND。 根据Western Digital的数据，您的LLF存储器的访问时间“在微秒范围内”，每个单元使用1位，每个单元架构使用2位。

制造商承认，就每GB的价格而言，其新的LLF存储器的价格将比DRAM低10倍，但比3D NAND存储器高20倍 （至少根据目前的估计），因此很可能仅将其用于选择针对高端数据中心或工作站的应用程序，类似于Optane和Z-NAND已经提供的应用程序。

Western Digital并未透露有关其低延迟闪存的所有细节 ，并且无法说出它是否与东芝去年宣布的低延迟3D XL-Flash NAND有任何关系。 当然，该公司也不愿基于其LLF存储器或何时上市来谈论实际产品。 由于上面详述的成本，很难想象这些新的存储器会在短期内到达普通用户。

Anandtech字体