Xbox one s使用由tsmc制造的16nm的apu进行了各种改进

Xbox One S是对当前Microsoft游戏机的新苗条评估，新型号似乎与原始型号相同，只是尺寸明显减小了40％ ，这是一个更为紧凑的解决方案。 现在我们知道，为了提供更紧凑的产品，必须将APU小型化 。

Xbox One S不仅体积更小，而且其APU在几个关键方面得到了改进

新款Xbox One S的APU采用台积电（TSMC）的16nm FinFET工艺制造 ，与原始型号的28nm和索尼的PS4相比有了显着提高。 在其芯片制造过程中的这种小型化对于减少能耗和产生的热量至关重要，从而可以设计出比原始Xbox One更紧凑的游戏机。

Xbox One S APU的改进不仅限于nm的下降， 微软还添加了一些其他组件，例如 硬件HEVC解码，用于Blu-ray UHD和HDMI 2.0以及HDCP 2.2接口的硬件编解码器 。 微软还利用优势来提高视频游戏的性能， GPU时钟频率从853 MHz变为914 MHz，以提供1.4 TFLOP的总功率，与Xbox的1.31 TFLOP相比，相差不大一个原始但初步的结果已经被看到。

内置于处理器裸片中的ESRAM内存还提高了其性能，以产生219 GB / s的带宽，这一数字比原始Xbox One的204 GB / s高7.1％。

在天蝎座到来之前，新的Xbox One S可能是微软的重要新鲜空气，这要归功于其基于Zen和Vega的APU的强大功能。

资料来源：techpowerup