英特尔Broadwell Core M略微提升Haswell的IPC

减少处理器制造过程的目的是提高新芯片的能效，但不能提高每个时钟周期（IPC）的性能。 尽管如此，英特尔似乎对Broadwell Core M的微体系结构进行了一些细微调整，与Haswell相比，该体系已略微改善了IPC。

未来的英特尔Broadwell处理器的主要特点是采用14纳米工艺制造，与目前使用常春藤桥使用的相同22纳米工艺制造的当前Haswell相比，它在能源效率方面取得了不错的进步 。 这使Broadwell Core M的TDP仅为4.5W 。

英特尔似乎并不满足于仅仅提高Broadwell的能效，并且已经设法在相同时钟频率下相对于Haswell稍微提高了性能 ，充其量最多只能提高2.97％ ，这看似很小，但是请记住，Broadwell的目标不是提高Haswell的性能，而是提高其能源效率。

资料来源：wccftech