3D Nand Memory：中国将于2017年开始制造

长江存储技术（YRST）公司将是第一家在中国生产新型3D NAND存储器的公司。 首批3D NAND存储器晶圆的制造将于2017年开始，他们希望生产这种类型的32级存储器。

他们将生产300, 000个3D NAND存储器晶片

3D NAND能够在同一芯片内包含多层存储器，因此可以在同一空间中实现更高容量的SSD驱动器。 像Intel-Micron或A-DATA这样的公司已经在市场上拥有这种类型的内存。 这将是中国制造商首次开始生产NAND闪存和DRAM存储器。

YRST公司的总投资额为24亿美元，用以完成工厂的建设，并且已经计划在2018年扩建工厂，并在2019年进行最后扩建。这不仅是通过YRST本身实现的，而且还通过由中国政府自己投资并与领先的半导体公司XMC结盟。 消息来源还表明，在Micron的合作下， 清华紫光集团提供了支持，因此从事这项业务的人不多。

YRST有望每月生产约30万个晶圆 ，这将满足对SSD和智能手机中使用的NAND存储器不断增长的需求。 该消息很重要，因为它将在中期帮助降低此类设备的成本。 开始淘汰已经使用了数十年的硬盘驱动器的又一个步骤。