Sk hynix展示了4d nand，仅等于其他制造商的3d nand

闪存市场之战是一场战争，以最低的价格提供最好的产品的竞争非常激烈。 今天我们在谈论新的英特尔QLC SSD 。 好吧，既然已经召开了闪存峰会，NAND制造商SK Hynix已经宣布了其所谓的“ 4D NAND”，这似乎更像是一种营销形式，而不是革命性的技术。

4D NAND：没有新内容吗？

使用特殊的名称和品牌来尝试使某些技术类似于已经存在的 “不同”和独特的技术已经成为技术界广泛采用的策略，这已不是什么秘密。 嗯，根据Tom的硬件门户网站的说法，Hynix的新“ 4D NAND”无非是稍微改进的3D NAND。

那么，闪存由两个组件组成：单元和外围。 在3D NAND的情况下，单元（称为CTF） 是垂直堆叠的 ，与传统的2D NAND（单元称为FG或浮栅）相比， 具有各种优势。 它们具有较高的数据密度，而不会牺牲耐用性 （根据制造商的说法， 它是增加了），更高的能源效率和改进的性能。 Hynix所谓的“ 4D NAND”包括将外围设备放置在 单元 下方 ，而不是在其旁边， 从而可以减小芯片尺寸并降低成本 。 这称为PUC或“单元外围”。 到目前为止一切顺利，对吗？

事实证明，这已经由制造商东芝/西部数据和三星完成了一段时间 。 换句话说，无非是一个小小的发展，至少在这个方面，使Hynix的NAND与这两家制造商的NAND保持一致。

正如我们已经说过的那样，这并不能使Hynix成为一家“ 残酷的 ”公司（以某种方式称呼它），它们只是与许多品牌和制造商一样 ，但是有必要报告，因为没有，Hynix并没有将NAND带入第四维度。

除了改进的3D NAND，SK Hynix还展示了其路线图，其中他们计划在不久的将来达到至少128层或“堆栈”的NAND，并且密度将随着几年的增长而增加。 在此2018年期间，他们将推出其96层“ 4D NAND”， 其QLC将在2018年发布 ，略低于今年已经销售或推出这些存储器的其他制造商。

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