三星确认量产10nm DDR4内存

三星已经确认开始批量生产密度为8 Gibagit的DDR4 DRAM存储器，并采用其先进的第二代10nm FinFET工艺，这将提供更高水平的能源效率和性能。

三星谈论其第二代10nm DDR4内存

三星的新型10nm和8Gb DDR4内存比上一代10n一代提供了30％的生产力，而且它的性能提高了10％，能源效率提高了15％ ，这一切都要感谢采用先进的专利电路设计技术。

新的数据检测系统能够更准确地确定每个单元中存储的数据 ，这显然导致电路集成水平和生产效率的显着提高。 第二代10nm存储器在其位线周围使用了一个空气隔离物以减少杂散电容 ，这不仅有利于更高级别的缩放，而且还有助于快速单元操作。

“通过在DRAM电路的设计和过程中开发创新技术，我们克服了阻碍DRAM可扩展性的巨大障碍。 第二代10纳米级DRAM，我们将更加积极地扩大10纳米DRAM的整体生产，以适应强劲的市场需求并继续增强我们的商业竞争力。”

为了实现这些成就，我们应用了新技术，而未使用EUV流程。 这里的创新包括使用高度敏感的细胞数据检测系统和先进的“空气隔离器”方案。”

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