Sk Hynix宣布推出1ynm制成的新型8GB DDR3 DDR4内存

内存巨头SK Hynix宣布开发其8Gb 1Ynm DDR4 DRAM内存，这意味着它可以使用14nm和16nm光刻技术制造。 与上一代1Xnm同类产品相比，新芯片的生产率提高了20％，功耗也提高了15％以上。

全新SK Hynix 1Ynm 8Gb DDR4 RAM

新的SK Hynix 8Gb 1Ynm DDR4 DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率 ，该公司称这是DDR4接口上最快的数据处理速度。 SK Hynix采用了“ 4相定时”方案，该方案复制时钟信号以提高数据传输的速度和稳定性。

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SK海力士还介绍了其内部开发的“ Sense Amp Control ”技术，以减少功耗和数据错误 。 借助这项技术，该公司能够改善感觉放大器的性能。 SK Hynix改进了晶体管的结构，以减少发生数据错误的可能性，这是技术进步带来的挑战 。 该公司还为电路增加了低功率电源，以避免不必要的能耗。

用SK Hynix副总裁Sean Kim的话来说，这款1Gn和8Gb DDR4 DRAM 为公司的客户提供了最佳的性能和密度 。 SK海力士计划从明年第一季度开始出货，以积极响应市场需求。 SK海力士计划将其1Ynm技术工艺提供给服务器和PC，然后再提供给移动设备等其他应用。

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