三星开发出第一款第三代10nm DRAM

三星今天宣布，它已在业界首次开发了第三代DDR4双倍速8吉比特（Gb） 10纳米 （1z-nm） DRAM 。

三星是制造DRAM存储器的先驱

自第二代10nm（1y-nm）8Gb DDR4类开始批量生产以来仅16个月，没有使用极紫外（EUV）处理的1z-nm 8Gb DDR4的开发就将极限进一步推高了。 DRAM规模。

随着1z-nm成为业界最小的内存处理节点，三星有望通过其新的DDR4 DRAM满足不断增长的市场需求，该DDR4 DRAM的生产效率提高了20％以上与之前版本的1y-nm相比 。 1z-nm和8Gb DDR4的大规模生产将于今年下半年开始，以适应预计于2020年发布的下一代高端商务服务器和PC。

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三星1z-nm DRAM的开发也为下一代DDR5，LPDDR5和GDDR6存储器铺平了道路 ，这些都是工业的未来。 更高容量和性能的1z纳米产品将使三星电子增强竞争力，并巩固其在包括服务器，图形和移动设备在内的“高级” DRAM存储器市场中的领导地位。

三星借此机会表示，将增加在韩国平泽工厂的部分主存储器生产，以满足对DRAM不断增长的需求。

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