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三星开始量产其第二代10nm DRAM
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毫无疑问， 三星是世界上最好的DRAM和NAND存储器制造商之一，现在韩国通过开始大规模生产其10nm的第二代DRAM迈出了新的一步。
三星已经量产第二代10nm DRAM
三星（Samsung）总裁金容晋 （ Gyoyoung Jin）宣布， 该公司已经使用第二代10纳米工艺开始大规模生产新的DRAM存储芯片 。 与先前的10nm制造工艺相比，这项新技术将使生产率提高30％ ，同时，性能将提高10％，而能源效率将提高15％。
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为了实现这些改进，未使用EUV技术，但已应用三星专有的设计技术 。 该公司声称，“ 空气垫片 ”已被用来减少寄生电容 ，从而减少了过多的能量消耗以提高存储单元的性能。
三星的新型第二代10nm DRAM可以以3600 Mbps的速度运行，与当前内存提供的3200 Mbps相比有了实质性的改进。 三星的下一代DDR4存储器将使生产具有较少极限IC池处理的高速存储器套件成为可能，从而降低高速DDR4存储器的价格。
这项新技术不是DDR4独有的， 还将用于将来的DRAM存储器标准中，例如HBM3，DDR5，GDDR6和LPDDR5 。 三星已经在努力将这些新型存储器尽快推向市场，从而再次巩固了其在该领域的领先地位。
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