三星开始量产其第二代10nm finfet 10lpp

三星今天宣布基于其第二代10nm FinFET 10LPP制造工艺开始大规模生产芯片，从而实现更高的性能和能效水平。

三星已经准备好10 nm FinFET 10LPP

这种新的制造工艺被称为10 nm FinFET 10LPP （低功耗增强版），其特点是与第一版10 nm FinFET相比，能耗降低了15％ 将性能提高了10％，因此我们有了相当大的改进。 这将使新的移动设备具有更好的自治性，并能更强大地执行各种任务 。

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采用这种工艺制造的首批10nm FinFET 10LPP SoC将在2018年初面世，尽管它们的可用性在一开始就会受到很大的限制，这在所有世代中都是如此。

三星电子代工厂行销副总裁Ryan Lee表示：“我们将能够从10LPE迁移到10LPP，从而获得更好的性能和更高的初始性能，从而更好地为我们的客户提供服务。” “凭借在10nm制程策略方面的丰富经验，三星将继续将技术从10nm演进到8LPP，从而为客户提供广泛的竞争优势，适用于各种应用。”

三星还宣布，其在韩国的新S3生产线已准备好开始生产10nm芯片和未来的光刻机，例如采用EUV技术的7nm FinFET ，并将在后者工厂大量生产。

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