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Tsmc展示了其6 nm节点,密度比7 nm高出18%
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台积电宣布了其6nm(N6)工艺 ,这是其当前7nm节点的改进版,可为客户提供竞争优势的性能以及从这些7nm(N7)设计的快速移植。
台积电承诺轻松迁移至6nm
台积电的N6(6nm)工艺利用了从目前生产的N7 +技术获得的极端紫外光刻(EUV)的新功能, 比N7(7nm)的密度提高了18%。 同时,其设计规则与台积电(TSMC)成熟的N7技术完全兼容,从而易于重用和迁移到该节点,从而减少了押注今天7的公司的麻烦和收益。 nm(例如AMD)。
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台积电(TSMC)的N6技术计划于2020年第一季度进行高风险生产,为客户提供具有成本效益的附加优势,同时为多种产品扩展业界领先的7nm系列的功能和性能,例如中高端移动设备,消费产品,人工智能,网络,5G基础架构,GPU和高性能计算。
Guru3D字体AMD RX 590显卡可以包含11或12 nm节点
我们必须相信三星是使用11nm设计的三星,但是从视觉上讲,没有办法将一台RX 590与另一台RX 590区分开。
Tsmc已经准备好其5 nm节点,性能提高15%
我们获悉,台积电已开始5nm的风险生产,并已与其OIP合作伙伴验证了工艺设计。