VRM X570：最好的？ 华硕vs大主教vs华擎vs微星

我们已着手寻找最佳的VRM X570 ，这是专门为其Ryzen 3000以及可能为2020年的Ryzen 4000设计的新AMD平台？ 我们不仅会看到每个制造商Asus ROG，技嘉AORUS，MSI和ASRock的四个参考板的深入特性，而且我们还将看到它们在承受1小时压力的Ryzen 9 3900X上能做什么。

内容索引

以PowlRstage为参考的新一代VRM

AMD将其处理器的制造工艺降低到了7纳米FinFET，这一次是由台积电负责的。 具体来说，正是它的核心达到了这种光刻技术 ，而存储器控制器仍保持上一代产品的12 nm，迫使制造商采用基于小芯片或CCX的新模块化架构。

实际上，不仅CPU进行了升级，主板也进行了升级，事实上，所有主要制造商都拥有大量的主板，并在其顶部安装了新的AMD X570芯片组 。 如果这些板子要强调一件事，那就是它们对VRM的深度更新 ，因为7nm晶体管比12nm晶体管需要更干净的电压信号。 我们谈论的是微观组件，任何尖峰，无论多么小，都会导致故障。

但这不仅是质量，而且是数量 ，这是事实，我们通过减小尺寸来提高效率，这是事实，但是也出现了具有多达12和16核的处理器，它们的工作频率超过4.5 GHz， 其能量需求接近200A在1.3-1.4V下，TDP高达105W 。 如果我们谈论每个CCX仅74 mm2的电子组件，这些数字确实很高。

但是什么是VRM？

在不了解VRM概念的情况下谈论VRM有什么意义？ 我们至少能做的就是尽我们所能来解释。

VRM在西班牙语中表示稳压器模块 ，尽管有时也将其称为PPM来指代处理器电源模块 。 在任何情况下，它都是一个模块，用作提供给微处理器的电压的转换器和减速器。

电源始终提供+ 3.3V + 5V和+ 12V的直流信号。 它负责将交流电转换为直流电（电流整流器），以用于电子组件。 VRM所做的就是将该信号转换为低得多的电压，以提供给处理器 ，当然，通常在1到1.5 V之间，具体取决于CPU。

直到不久前，处理器本身才拥有自己的VRM。 但是，在高频，高性能多核处理器问世之后，VRM 直接在具有多个阶段的主板上实现，以平滑信号并使信号适应每个处理器的散热设计功率（TDP）的需求。 。

当前的处理器具有电压标识符（VID） ，该标识符是一串字符串，当前为5、6或8位，CPU使用该标识符从VRM请求某个电压值。 这样， 根据CPU内核 的工作 频率，始终可以精确地提供必要的电压。 使用5位，我们可以创建32个电压值，分别具有6、64和8、256个值。 因此，除了转换器之外， VRM还是稳压器 ，因此它具有PWM芯片来转换其MOSFET的信号。

必须了解TDP，V_core或V_SoC之类的基本概念

主板的VRM周围有很多技术概念 ，这些技术概念始终出现在“评论”或“规格”中，并且它们的功能并不总是被理解或知晓。 让我们回顾一下：

TDP：

热设计功率是指电子芯片（例如CPU，GPU或芯片组）可以产生的热量 。 该值是指芯片在最大负载下运行应用程序将产生的最大热量，而不是消耗的功率 。 具有45W TDP的CPU意味着它可以散发高达45W的热量，而芯片不会超过其规格的最高结温（TjMax或Tjunction）。 这与处理器的功耗无关，功耗会因每个单元，型号和制造商而异。 某些处理器具有可编程的TDP ，具体取决于其安装在哪个散热器上（好坏），例如AMD或Intel的APU。

V_核心

Vcore是主板提供给插槽中安装的处理器的电压 。 VRM必须确保可以在其上安装的所有制造商的处理器有足够的Vcore值。 在此V_core中，我们定义的VID起作用，它始终指示内核所需的电压。

V_SoC

在这种情况下，将电压提供给RAM存储器 。 与处理器一样，根据工作负载和配置的JEDED配置文件（频率），内存以不同的频率工作，介于1.20和1.35 V之间。

单板VRM的组成部分

场效应管

我们将经常使用的另一个词是MOSFET ，即金属氧化物半导体场效应管 ，它是一种场效应晶体管 。 无需过多讨论电子细节， 该组件即可用于放大或切换电信号 。 这些晶体管基本上是VRM的功率级，为CPU生成一定的电压和电流。

实际上，功率放大器由四个部分组成， 两个低端MOSFET，一个高端MOSFET和一个IC控制器 。 使用该系统，可以获得更大范围的电压，最重要的是可以承受CPU所需的大电流，我们说的是每级40至60A。

扼流圈和电容器

在MOSFET之后，VRM具有一系列的扼流圈和电容器 。 扼流圈是电感或扼流圈。 它们执行滤波信号的功能，因为它们可以防止交流电转换为直流电时残留电压的通过。 电容器补充了这些线圈，以吸收感应电荷，并充当小型充电电池以提供最佳电流。

PWM和Bender

这些是我们将看到的最后元素，尽管它们处于VRM系统的开始 。 PWM或脉宽调制器是一种系统，通过该系统可以修改周期信号以控制其发送的能量 。 让我们考虑一下可以由平方信号表示的数字信号。 信号以较高的值传递的时间越长，它传递的能量就越多，传递到0的时间也就越长，因为信号会更弱。

在某些情况下，该信号通过位于MOSFET之前的弯曲器 。 其功能是将由PWM产生的该频率或平方信号减半 ， 然后复制它，使其不进入一个，而是进入两个MOSFET。 这样，供电相的数量增加了一倍，但是信号质量可能会下降，并且该元件无法始终保持电流的正确平衡。

四个配备AMD Ryzen 9 3900X的参考板

了解了从现在开始将要处理的每个概念的含义之后，我们将看到用于比较的板块 。 不用说，它们全部属于高端产品，或者是品牌的旗舰产品，并且可以与AMD Ryzen 3900X 12核和24线一起使用，我们将用它们来强调VRM X570。

华硕ROG Crosshair VIII Formula是该AMD平台制造商性能最高的主板。 在铜散热片系统下，它的VRM共有14 + 2相 ，还与液体冷却兼容 。 在我们的情况下，为了与其他印版处于相同的条件，我们将不使用这样的系统。 该板具有集成的芯片组散热器和两个M.2 PCIe 4.0插槽。 它具有高达4800 MHz的128 GB RAM的容量，并且我们已经提供了带有AGESA 1.0.03ABBA微码的BIOS更新。

自推出以来， 微星MEG X570 GODLIKE在测试方面给了我们一点战争。 它也是该品牌的旗舰产品，具有14 + 4个电源相，由两个高知名度的铝散热片系统连接至一个铜热管，该铜热管也直接来自芯片组，从而保护了该相 。 像以前的GODLIKE一样，该板卡附带一个10 Gbps网卡，另一个扩展卡以及三个带有散热器的板载集成插槽，两个额外的M.2 PCIe 4.0插槽。 可用的最新BIO版本是AGESA 1.0.0.3ABB

我们继续使用技嘉X570 AORUS主控板 ，在这种情况下，它不是顶级产品，因为上面有AORUS Xtreme。 无论如何，该板具有14个实相的VRM ，我们将看到这一点，并且也受到相互连接的大型散热器的保护。 像其他产品一样，它为我们提供了集成的Wi-Fi连接，以及一个三重M.2插槽和三重PCIe x16钢加强筋。 从第10天起，我们将为您的BIOS提供最新的更新1.0.0.3ABBA，因此我们将使用它。

最后，我们有了ASRock X570 Phantom Gaming X ，这是另一个旗舰产品，对Intel芯片组版本进行了显着改进。 现在，它的14相VRM比以前的型号更好，温度更高。 实际上， 它的散热器可能是四块板上最大的散热器 ， 其设计类似于ROG，用于在芯片组中具有集成的散热器和其三重M.2 PCIe 4.0插槽。 我们还将利用 9月17日发布的BIOS更新1.0.0.3ABBA 。

深入研究各单板的VRM

在进行比较之前，让我们仔细看一下每个主板上VRM X570的组件和配置。

华硕ROG Crosshair VIII公式

让我们从华硕主板上的VRM开始。 该评估板的电源系统由两个电源连接器组成，一个8引脚，另一个4引脚提供12V电源。 这些针脚被华硕称为ProCool II ，基本上是坚固的金属针脚，具有增强的刚度和承受拉力的能力。

出现的下一个元素是对整个系统进行PWM控制的元素。 我们正在谈论一种PWM ASP 1405i Infineon IR35201控制器 ，该控制器也使用Hero模型。 该控制器负责将信号提供给电源相位。

该板具有14 + 2个电源阶段，尽管将有8个实部，其中1个负责V_SoC，而7个负责V-Core。 这些阶段没有弯曲器，因此我们不能认为它们不是真实的，让我们将其保留为伪真实 。 事实是，它们每个都由两个Infineon PowlRstage IR3555 MOSFET组成 ，总共16个。这些元件在920 mV的电压下提供60A的Idc，并且使用数字PWM信号进行管理。

在MOSFET之后，我们推出了16个带有合金芯的45A MicroFine合金扼流圈 ，最后是10K µF固态 黑色金属电容器。 正如我们已经评论过的，该VRN没有倍增器，但每个MOSFET的PWN信号确实被一分为二。

微星MEG X570 GODLIKE

MSI顶级主板具有电源输入，该电源输入由双8针 12V电源连接器组成 。 与其他情况一样，与最强大的AMD所需的200A相比，其引脚牢固可提高性能。

与华硕一样，该板上我们还有一个英飞凌IR35201 PWM控制器 ，负责向所有电源相提供信号。 在这种情况下，我们总共有14 + 4个相位， 尽管由于存在弯曲器，所以实际是8个。

然后，功率级包括两个子级。 首先，我们有8个Infineon IR3599弯曲机 ，用于管理18个Infineon智能功率级TDA21472 Dr.MOS MOSFET。 它们的Idc为70A，最大电压为920 mV。 在此VRM中，我们有7个相或14个MOSFET专用于V_Core ，由8个倍增器控制。 第8个相位由另一个倍频器处理，该倍频器将其4个MOSFET的信号放大四倍，从而生成V_SoC。

我们用18 220 mH的扼流圈Titanium Choke II及其相应的固态电容器完成了扼流阶段。

技嘉X570 AORUS Master

接下来的板块与前面的板块略有不同，因为在这里它的各个阶段（如果所有阶段都可以视为真实阶段） 。 在这种情况下，系统将通过两个固定的8针连接器以12V供电。

在这种情况下，系统更简单，它还具有Infineon品牌的XDPE132G5C型 PWM控制器，该控制器负责管理我们拥有的12 + 2电源相的信号。 它们全部由Infineon PowlRstage IR3556 MOSFET组成 ，它们支持的最大Idc为50A，电压为920 mV。 如您所想， V_Core负责12个阶段 ，而其他两个阶段则服务于V_SoC。

有了我们，有关扼流圈和电容器的具体信息，但我们知道前者将承受50A的电流，而后者则由固体电解材料制成。 制造商确实提供了两层铜结构的详细信息，该结构也是双层的，以将能量层与接地连接分开。

华擎X570 Phantom Gaming X

我们以华擎板结尾，该板为我们提供了12V电压输入， 该电压输入由8针连接器和4针连接器组成 。 因此，选择不太积极的配置。

此后，我们将拥有一个Intersill ISL69147 PWM 控制器 ，该控制器负责管理构成实际7相 VRM的14个MOSFET。 您可以想象，我们有一个由弯管机组成的功率级，特别是7个Intersill ISL6617A 。 在下一阶段，已经安装了14台SiC654 VRPower MOSFET（Dr.MOS） ，这次是由Vishay建造的，除了Pro4和Phantom Gaming 4（由Sinopower签署）外，其余大部分板子都是由Vishay制作的。 这些元件提供50A的Idc。

最后，扼流级由Nichicon在日本制造的14个60A扼流圈及其相应的12K电容器组成。

压力和温度测试

为了比较使用VRM X570的不同主板，我们对它们进行了1个小时的连续应力测试 。 在此期间， AMD Ryzen 9 3900X一直使所有内核都忙于Primer95 Large，并且该主板允许的最大存储速度。

温度直接从板的VRM表面获得 ，因为在通过软件捕获温度时，在每种情况下仅提供PWM控制器。 因此，我们将在静止的板上放置一个捕捉，然后在60分钟后放置另一个捕捉 。 在此期间，我们将每10分钟捕获一次以建立平均温度。

华硕ROG Crosshair VIII配方结果

在由华硕（Asus）制造的板上，我们可以看到相当有限的初始温度，在外面最热的区域，该温度从未 接近40 ℃ 。 通常，这些区域将是电传输的扼流圈或PCB本身。

我们必须考虑到板子的散热器是两个相当大的铝块，并且它们也允许液体冷却 ，而其他板子则没有。 我们的意思是，如果我们安装其中一个系统，这些温度将下降很多。

然而，经过漫长的压力过程，温度几乎没有移动几度， 在最热的VRM地区仅达到41.8⁰C 。 它们是非常出色的结果，而使用MOSFET S PowlRstage的这些伪实相则像一个魅力 。 实际上，它是所有测试中在压力下温度最高的板，其稳定性在过程中非常好 ，有时达到42.5⁰C。

我们还在该板上进行压力测试时，截取了Ryzen Master的屏幕截图，在该屏幕中，我们发现功耗非常高 。 我们正在谈论的是140A，但是在我们处于4.2 GHz时，TDC和PPT都仍保持很高的百分比，这是一个尚未达到最大可用频率的频率，无论在华硕还是在其他地区带有新ABBA BIOS的主板。 非常积极的一点是， CPU的PPT和TDC从未达到最大值，这表明该华硕的电源管理非常出色。

微星MEG X570 GODLIKE结果

我们转到第二种情况，即MSI系列顶板。 在测试设备静止时，我们获得的温度与华硕非常相似，最热的地方在36至38°C之间。

但是，在应力过程之后，这些应力的增加比以前的情况 要大得多 ，在测试结束时找到的值接近56⁰C 。 但是，对于使用此CPU的电路板的VRM来说，它们的效果很好，而且在逻辑上，在较低的电路板和较少的电源阶段，这肯定会更糟。 这是四个板块中温度最高的板块

有时我们会观察到更高的峰值，并接近60°C ，尽管这是在CPU TDC因温度而跳闸时发生的。 可以说， GODLIKE的电源控制不如华硕的电源控制 ，我们在Ryzen Master中观察到，这些标记的起伏很大，电压比其他电路板要高一些。

技嘉X570 AORUS Master成绩

在应力过程中，该板的温度变化最小 。 这种变化仅在2⁰C左右，这表明带有实际相位且没有中间弯曲器的VRM的工作情况如何。

从一开始，温度就比竞争对手高一些，达到42°C，在某些时候还更高。 它是具有最小散热器的电路板，因此，如果它们具有更多的体积，我们认为不超过40⁰C是可行的。 在整个过程中，温度值一直保持非常稳定。

华擎X570 Phantom Gaming X结果

最后，我们来看看Asrock主板，该主板在整个VRM中都有很大的散热器。 至少在静止时，这还不足以保持温度低于先前的温度， 因为我们 在两列扼流圈中 获得的温度超过40 ℃。

经过应力处理后，虽然仍低于GODLIKE的值，但我们发现该值接近50⁰C 。 注意，在应力情况下，带有弯曲器的相通常具有较高的平均值。 特别是在此模型中，我们发现CPU更热且功耗更高时， 峰值约为54-55⁰C 。

	华硕	微星	奥鲁斯	华擎
平均温度	40.2⁰摄氏度	57.4⁰摄氏度	43.8°摄氏度	49.1摄氏度

有关VRM X570的结论

根据结果​​， 我们可以宣布华硕车牌是赢家 ，而不仅是方程式赛车，是因为英雄也被展示了出色的温度，并且仅比其姐姐高出几度， 就被证明是英雄 。 。 在其16个进料阶段中没有物理弯管机的事实导致了一些轰动性的价值，如果我们在其中集成了定制制冷系统，这些价值甚至可能会降低。

另一方面，我们已经清楚地看到带有弯曲器的VRM是温度较高的那些 ，尤其是在应力过程之后。 实际上， GODLIKE是CPU内核中平均电压最高的一种 ，这也会导致温度升高。 我们在他的审查中已经看到了这一点，因此可以说这是最不稳定的。

如果我们看一下具有12个真实相位的AORUS Master ， 它的温度是从一种状态到另一种状态变化最小的温度 。 的确，它是温度最高的一种，但其平均值几乎没有变化。 如果散热器稍大，可能会给华硕带来麻烦。

这些板与AMD Ryzen 3950X的功能还有待观察，目前尚未见到市场。