3D Nand QLC，Intel构建1000万个固态驱动器

上周，英特尔的存储和存储部门基于在中国大连建造的NAND管芯QLC生产了第百万个QLC 3D NAND固态驱动器（SSD）。

英特尔构建1000万个3D NAND QLC固态驱动器

生产于2018年底开始，这一里程碑将QLC（四级蜂窝存储）确立为大容量驱动器的核心技术。

下面总结了英特尔最近在3D NAND QLC装置上取得的一些成就。

• Intel QLC 3D NAND用于Intel SSD 660p ， Intel SSD 665p和Intel Optane Memory H10 存储解决方案， Intel QLC驱动器每个单元具有4位，并以64和96层NAND配置存储数据。在过去的十年中，这项技术。 在2016年，英特尔工程师将成熟的浮动门（FG）技术的方向更改为垂直，并将其包裹在完整的门结构中。 由此产生的三细胞水平（TLC）技术可以存储384 Gb /裸片。 在2018年，实现了3D QLC闪存，它具有64个层，每个单元具有4位，能够存储1, 024 Gb /芯片。 在2019年，英特尔达到96层，降低了总面积密度。

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QLC现在是英特尔整体存储产品组合的一部分 ，该产品组合包括客户和数据中心产品。

英特尔似乎对其固态硬盘的性能感到满意，特别是由于660p和665p型号的成功。