3D Nand，WD和Kioxia宣布推出112层bics5存储器

Western Digital和Kioxia正式宣布了他们的第五代BiCS NAND 3D技术，该技术成功地将112层闪存与TLC或QLC技术堆叠在一起 。 这种创新称为BiCS5，最初的芯片可提供512Gb的存储。

BICS5在3D NAND中提供更高的存储速度和密度

直到2020年下半年，该技术才将“大量商用”。该技术可用时， 每个芯片的容量将高达1.33Tb 。

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与Western Digital / Kioxia BiCS4 96层3D NAND存储器相比，BiCS 5共具有112个NAND层， 因此这一代产品的层提升为16.67％。 至于每个硅晶片的存储密度，BiCS5提供的总比特数比该公司的BiCS4多40％，这将降低未来几年NAND每比特的生产成本。

其他设计改进使Western Digital的BiCS5的 I / O性能比其前任产品高出50％ ，从而使BiCS5更快并且具有更高的存储密度。 对于单代NAND来说还不错，不过要使112层NAND成为东芝/ Kioxia产量的重要部分还需要一段时间。

BiCS5完全可以提供市场所需的NAND，更快的I / O速度，更小更密集的存储芯片 ，并有望降低生产成本。 所有的好消息，除了等待时间，直到大规模部署到即将推出的Western Digital和其他制造商的产品上为止。 我们会及时通知您。