海力士发布首款96层512GB Nand CTF 4d闪存

SK海力士今天发布了全球首款96层512Gb 96层4D NAND闪存（电荷陷阱闪存）。 这种新型闪存仍基于3D TLC技术，但是SK Hynix由于将电荷陷阱闪存技术与“ PUC”（Peri。Under Cell技术）结合而增加了第四维度 。

SK Hynix推出其新的96层4D NAND存储器

SK Hynix表示，其重点（显然）要比常用的3D浮动门方法更好。 与该公司的72层512 Gb 3D NAND相比，4D NAND芯片设计可使芯片尺寸减少30％以上，并使每片晶圆的生产率提高49％。 此外，该产品的写入速度提高了30％，数据读取性能提高了25％。

数据带宽也翻了一番，成为64 KB的行业领先者（大小）。 数据I / O速率（输入/输出）在1.2 V电压下达到1200 Mbps （兆位/秒） 。

首批1TB驱动器将于2019年上市

该计划将引入容量高达1TB的消费类驱动器以及SK Hynix驱动器和固件。 该公司计划在2019年使用1 Tb TLC和QLC 96层存储芯片。

这是固态驱动器的未来，它将在各个方面进行改进，增强功能并提高读写速度。

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