骁龙835过滤了其特性：8核和10 nm finfet

高通公司希望在今年多汁的智能手机市场上拥有很多授权，而新的一年没有比发布新的顶级处理器更好的方法了。 Qualcomm Snapdragon 835凭借其八个高性能内核和10nm FinFET工艺效率，将使功能更强大的新一代设备栩栩如生。

骁龙835将于下周在CES 2017上发布 ，新处理器采用先进的第二代10nm FinFET工艺制造，在能源效率方面取得了重大飞跃。 多亏了这一点，该处理器将比Snapdragon 820减少20％的功耗，尽管它明显优越于处理器 ，总共包含了八个Kryo 280内核 ，这些内核被分为2.45 GHz和1.90 GHz的 两个四核群集。

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在图形部分，我们发现Adreno 540 GPU可在视频游戏中提供出色的性能，并与DirectX 12和Vulkan等最新API兼容。 我们继续使用Hexagon 690 DSP ，它可以4K分辨率和60 FPS播放内容。 泄漏的信息通过4G LTE Cat.16连接完成，最大下载速度为1, 000 Mbps。

资料来源：videocardz